مروری بریافته های جدیدکامپوزیت بین فلزی SiC- MoSi2 به همراه B4C
نویسندگان
چکیده مقاله:
دی-سیلساید مولیبدن دارای نقطه ذوبی در حدود oC 2030 است و به عنوان گزینه مناسبی جهت کاربردهای دمای بالا است. همچنین این ماده مقاومت عالی در برابر خوردگی و اکسیداسیون داشته و جهت کاربرد در محیطهای خورنده توصیه شده است. مواد پایه MoSi2 در صنایع زیادی به کار گرفته شده است که این کاربردها از خواص مکانیکی دمای بالای این ماده با ترکیبی از دیگر خواص از قبیل هدایت الکتریکی، مقاومت به خوردگی و اکسیداسیون ناشی میشود. اثر SiC و B4C بر زمینه MoSi2 بر روی میکروساختار و خواص مکانیکی در دمای اتاق بررسی شده است. ضرائب انبساط حرارتی آنها (CTE) نیز تا دمای 1200oC به وسیله آنالیز حرارتی مکانیکی (TMA) ارزیابی شده است. نتایج آزمایشگاهی نشان می دهد که فاز تقویت شده Mo2B5 در کامپوزیت MoSi2/SiC/B4C به روش پرس گرم تهیه شده شکل گرفته شده است. هم فاز Mo2B5 و هم فاز SiC رفتار مکانیکی MoSi2 را به طور قابل ملاحظه ای بهبود می بخشند. علاوه بر آن، میزان SiC تا حد 40% حجمی می تواند به کامپوزیت MoSi2 همراه با B4C اضافه شود. در نتیجه، کامپوزیت MoSi2/SiC/B4C به صورت هموژن و چگال بدست می آید که متعاقباً استحکام خمشی و چقرمگی شکست بالایی دارد. در عین حال، ضریب انبساط حرارتی (CTE) کامپوزیت به صورت خطی با افزایش میزان SiC کاهش می یابد و زمانی که تا 40% حجمی SiC اضافه می شود، CTE کامپوزیت نسبت به MoSi2 خالص 21% افزایش می یابد. کامپوزیت MoSi2/SiC/B4C یک سیستم بسیار مهم برای توسعه کاربردهای جدید در دماهای بالا است به خصوص جهت استفاده در کاربردهای پوششی دما بالا.
منابع مشابه
بررسی تاثیر میزان SiC و B4C و دمای زینتر بدون فشار بر خواص مکانیکی و مقاومت به اکسیداسیون ایزوترم نانو کامپوزیت های B4C -SiC- ZrB2
ZrB2 از جمله سرامیک های دما بالا با دمای ذوب بسیار بالای °C 3040 می باشد که خواص منحصر به فردی دارد. از مشکلات عمده ZrB2 زینتر پذیری ضعیف آن است که در این تحقیق با افزودن SiC در ابعاد میکرون و نانومتر، به عنوان فاز ثانویه و B4C به عنوان افزودنی سعی در رفع این مشکل گردید. مطالعات منظمی بر روی زینتر بدون فشار نانوکامپوزیت SiC-ZrB2 صورت پذیرفت. ابتدا به بررسی تغییرات اندازه ذرات در نتیجه زمانهای ...
متن کاملبررسی تأثیر فعال سازی مکانیکی بر اندازة کریستالیت ها و ریزساختار نانوکامپوزیت های MoSi2-SiC تهیه شده به روش SHS
در این تحقیق، نانوکامپوزیت MoSi2-SiC بااستفاده از مواد اولیة عنصری (Mo+Si+C) بااستفاده از روش سنتز احتراقی- فعال شدة مکانیکی به کمک فناوری اجاق شیمیایی تهیه شد. برای این کار پس از مخلوط و خرد کردن مکانیکی مواد اولیة اصلی و رسیدن به ابعاد نانومتری، و مخلوط مواد اولیة فرعی (Mo+Si+Al) نمونه هایی به طور جداگانه از این دو پودر مخلوط تهیه و به روش SHS سنتز شد. محصول نهایی تحت آنالیزهای TEM، SEM، XRD ...
متن کاملMachinability behavior of PCD 1600 Grade Inserts on Turning AL/SiC/B4C Hybrid Metal Matrix Composites
Aluminium metal matrix composites reinforced with SiC and B4C particles are a unique class of advanced engineered materials that have been developed to use in high strength , high wear resistant and tribological applications. The conventional techniques of producing these composites have some drawbacks. In this study, the aluminium hybrid composite is fabricated using stir casting method. 10 % ...
متن کاملCo-Dispersion Behavior of ZrB2–SiC–B4C–C Powders with Polyethyleneimine
The aqueous dispersion behavior of ZrB₂, SiC powders with B₄C and C as sintering aids was investigated. Well co-dispersed suspension can be obtained in acidic solutions in presence of polyethyleneimine (PEI). The adsorption of PEI on the powder surface was measured by thermal gravimetric (TG) analysis. Rheological measurements displayed the effect of dispersant on the flow behavior of as-prepar...
متن کاملInteraction of ultrashort x-ray pulses with B4C , SiC, and Si.
The interaction of 32.5 and 6 nm ultrashort x-ray pulses with the solid materials B4C , SiC, and Si is simulated with a nonlocal thermodynamic equilibrium radiation transfer code. We study the ionization dynamics as a function of depth in the material and modifications of the opacity during irradiation, and estimate the crater depth. Furthermore, we compare the estimated crater depth with exper...
متن کاملبررسی تاثیر مقادیر ذرات B4C بر سختی و مقاومت به سایش کامپوزیت Al-SiC-B4C ایجاد شده به روش GTAW بر آلیاژ AA332
در تحقیق حاضر کامپوزیت سطحی Al-SiC-B4C با مقادیر مختلف B4C بر روی سطح آلیاژ AA332 پیش نشت شد. نمونهها به وسیله فرآیند GTAW ذوب و کامپوزیت سازی سطحی شدند. بررسیهای ریزساختاری به وسیله میکروسکوپ نوری (OM) و الکترونی روبشی (SEM) نشان دادند که فازهای تقویت کننده SiC و B4C تمایل بالایی برای قرارگیری بر روی مرزدانهها و در مجاورت آنها دارند. نتایج نشان داد که با افزایش میزان B4C میل به تشکیل Al3B4...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 1 شماره 49
صفحات 69- 75
تاریخ انتشار 2017-06
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023